[8주 차] - 증가형 MOSFET의 전류-전압 특성

    과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design)

수업일자 : 2022년 10월 18일 (화)

 

 

 

 

1. 증가형 MOSFET (Enhancement Metal - Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor)

1-1. 증가형 MOSFET의 구조

- 증가형 MOSFET은 아래와 같은 구조를 가지며 소스/드레인과 기판의 도핑 형태의 따라 N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET으로 구분됩니다.

 

- 금속(게이트) - 산화막(절연체) - 반도체(채널) 형태의 구조

 

- MOSFET의 소자 형태 : 소스/드레인의 도핑 형태에 따라 결정, 기판의 도핑 형태와 반대입니다.

증가형 N-채널 MOSFET

 

 

 

증가형 P-채널 MOSFET

 

 

 

 

1-2. 증가형 MOSFET의 회로 기호

- MOSFET 소자는 게이트(Gate), 소스(Source), 드레인(Drain) 세 개의 단자를 갖습니다.

 

- 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소스-드레인 사이의 전류 흐름이 제어됩니다.

 

- 게이트 : 전류가 흐르지 않습니다.

- 소스 : 전류를 운반하는 캐리어를 공급합니다.

- 드레인 : 소스에서 공급된 캐리어가 채널을 지나 소자 밖으로 방출됩니다.

(좌) N-채널 MOSFET / (우) P-채널 MOSFET

 

 

 

1-3. 증가형 MOSFET의 동작 모드

- 포화모드는 드레인 근처에서 채널이 없어지는 채널 핀치-오프(Pinch-off)가 발생합니다.

증가형 MOSFET의 전류-전압 특성 곡선

 

 

 

 

 

 

1-4. 증가형 N-채널 MOSFET의 전류-전압 특성

(1) 포화 동작 모드 : 증폭기로 동작

- 포화 모드일 때 드레인 전류는 드레인 전압과 무관하게 게이트 전압에만 영향을 받습니다.

 

 

 

 

 

- 학부에서 수강했던 전공 수업 내용을 정리하는 포스팅입니다.

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