전공 수업/전자회로 설계13 [8주 차] - 증가형 MOSFET의 전류-전압 특성 과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design) 수업일자 : 2022년 10월 18일 (화) 1. 증가형 MOSFET (Enhancement Metal - Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor) 1-1. 증가형 MOSFET의 구조 - 증가형 MOSFET은 아래와 같은 구조를 가지며 소스/드레인과 기판의 도핑 형태의 따라 N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET으로 구분됩니다. - 금속(게이트) - 산화막(절연체) - 반도체(채널) 형태의 구조 - MOSFET의 소자 형태 : 소스/드레인의 도핑 형태에 따라 결정, 기판의 도핑 형태와 반대입니다. 1-2. 증가형 MOSFET의 회로 기호 - MOSFET 소자는 게이트(Gate), 소스.. 2022. 11. 1. [7주 차] - 공통 이미터, 컬렉터 트랜지스터 증폭기(Common Emitter, Collector Amplifier) 과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design) 수업일자 : 2022년 10월 11일 (화) 1. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기(Common Emitter Amplifier) 1-1. 정의와 여러 가지 특징 - BJT(바이폴라 접합 트랜지스터) 소신호 증폭기를 구성하는 방법 중 하나로써 입력은 베이스로, 출력은 컬렉터 단자에서 얻으며 이미터를 입출력 단자의 교류 접지(공통) 부분으로 하는 회로를 의미합니다. - 출력 신호의 위상이 입력 신호의 위상과 반대됩니다. - 해당 증폭기로 7404 회로(NOT Gate)를 설계할 수 있습니다. 1-2. NPN형, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 1-3. 공통 이미터 증폭기의 바이어스(Bias) 1-4. 공통 이미터의 전압 이득 2. 공.. 2022. 10. 11. [6주 차] - BJT의 바이어스(Bias) 회로 과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design) 수업일자 : 2022년 10월 04일 (화) 1. BJT 전압 분배 바이어스 회로 - BJT에 바이어스를 걸어준다는 것은, 순방향 바이어스를 걸어주어 증폭기(신호를 제어할 수 있는 상태) 역할을 할 수 있도록 해 주는 것을 의미하며 이를 바이어스(Bias) 설계라고 합니다. 순방향 바이어스가 걸릴 수 있도록 동작점과 부하선을 설계하는 것을 말합니다. 1-1. 회로 구성 - NPN형 BJT 전압 분배 바이어스 회로는 아래 그림과 같이 구성됩니다. 1-2. 베이스 동작점 전류 1-3. 컬렉터 동작점 전류, 전압 1-4. 부하선(Load lines) - 동작점들의 집합 - 부하선이란 BJT를 증폭기로 사용하기 위해 순방향 활성 영역에서 .. 2022. 10. 4. [5주 차] - BJT의 전류 - 전압 특성 과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design) 수업일자 : 2022년 09월 27일 (화) 1. BJT의 전류-전압 특성 이해하기 1-1. BJT 구조 - BJT는 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor)이며, N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과 이들에 의해 생성되는 2개의 PN 접합으로 구성됩니다. - 이미터(E), 베이스(B), 컬렉터(C)의 도핑 형태에 따라 NPN형, PNP형으로 구분됩니다. 1-2. BJT의 동작 모드 (1) E-B(이미터-베이스) PN 접합과, B-C(베이스-컬렉터) PN 접합의 바이어스(전압을 걸어주는 것) 조건에 따라 - 차단 모드(열린 스위치 동작), - 순방향 활성(Forward active) 모드(.. 2022. 9. 27. [3주 차] - 다이오드 리미터 회로, 제너 다이오드 회로 과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design) 수업일자 : 2022년 09월 13일 (화) 1. 다이오드 리미터 회로 1-1 정의 - 다이오드 리미터 회로란, 신호의 진폭을 미리 정한 기준 전압 레벨로 제한하는 회로를 말합니다. 이처럼 신호의 진폭을 제한할 수 있기 때문에 특정 부하를 보호하는 특성을 가집니다. - 다이오드와 DC 전원 연결의 극성에 따라 양(Positive) 또는 음(Negative) 리미터로 구현됩니다. - 다이오드와 출력 부분의 연결에 따라 병렬형 또는 직렬형 리미터 회로로 구분되며, 기준 전압 레벨을 정하는 DC 전원의 극성에 따라 다양한 형태로 구현이 가능합니다. 1-2. 병렬형 리미터 회로 아래 그림처럼 다이오드가 출력과 병렬로 연결된 리미터 회로를 .. 2022. 9. 13. [2주 차] - PN 접합 다이오드, 다이오드 정류회로 과목명 : 전자회로 설계(Electronic circuit design) 수업일자 : 2022년 09월 06일 (화) 1. PN 접합 다이오드 1-1. 구조(Structure) - PN 접합 다이오드의 구조는 진성 반도체에 억셉터(3가 불순물)가 도핑된 P형 반도체, 도너(5가 불순물)가 도핑된 N형 반도체의 접합으로 만들어집니다. - P형 영역은 정공의 농도가 자유전자의 농도보다 크고, N형 영역은 자유전자의 농도가 정공의 농도보다 훨씬 큽니다. - P형 영역에 연결된 전극을 애노드(Anode), N형 영역에 연결된 전극을 캐소드(Cathode)라고 합니다. - PN 접합 다이오드의 접합면에서는 정공과 전자가 서로 상쇄되어 공핍층(Depletion layer)이 생기며 공핍층은 공간 전하영역이라고도 합.. 2022. 9. 7. 이전 1 2 3 다음
